POWER TRANSISTORS

POWER TRANSISTORS

Bulletin No

T01EE0

( July,2001)

SANKEN ELECTRIC CO.,LTD.

C AU T I O N / WA R N I N G

The information in this publication has been carefully checked and is believed to be
accurate; however, no responsibility is assumed for inaccuracies.
Sanken reserves the right to make changes without further notice to any products herein in
the interest of improvements in the performance, reliability, or manufacturability
of its products. Before placing an order, Sanken advises its customers to obtain the
latest version of the relevant information to verify that the information being relied upon
is current.
Application and operation examples described in this catalog are quoted for the sole
purpose of reference for the use of the products herein and Sanken can assume no
responsibility for any infringement of industrial property rights, intellectual property
rights or any other rights of Sanken or any third party which may result from its use.
When using the products herein, the applicability and suitability of such products for the
intended purpose or object shall be reviewed at the users responsibility.
Although Sanken undertakes to enhance the quality and reliability of its products, the
occurrence of failure and defect of semiconductor products at a certain rate is inevitable.
Users of Sanken products are requested to take, at their own risk, preventative measures
including safety design of the equipment or systems against any possible injury, death, fires
or damages to the society due to device failure or malfunction.
Sanken products listed in this catalog are designed and intended for the use as components
in general purpose electronic equipment or apparatus (home appliances, office equipment,
telecommunication equipment, measuring equipment, etc.). 
Before placing an order, the user’s written consent to the specifications is requested.
When considering the use of Sanken products in the applications where higher reliability
is required (transportation equipment and its control systems, traffic signal control
systems or equipment, fire/crime alarm systems, various safety devices, etc.), please
contact your nearest Sanken sales representative to discuss and obtain written confirmation
of your specifications.
The use of Sanken products without the written consent of Sanken in the applications
where extremely high reliability is required (aerospace equipment, nuclear power control
systems, life support systems, etc.) is strictly prohibited.
Anti radioactive ray design is not considered for the products listed herein.
This publication shall not be reproduced in whole or in part without prior written approval
from Sanken.

•
•

•

•

•

•

•

•

•

•

1

Transistor Selection Guide ..2

Reliability.........................6

Temperature Derating in 

Safe Operating Area.........9

Accessories.....................9

Switching Characteristics

Test Circuit....................10

Symbols and Term...........10

A1186............................11

A1215............................12

A1216............................13

A1262............................14

A1294............................15

A1295............................16

A1303............................17

A1386/A ........................18

A1488/A ........................19

A1492............................20

A1493............................21

A1494............................22

A1567............................23

A1568............................24

A1667/8.........................25

A1673............................26

A1693............................27

A1694............................28

A1695............................29

A1725............................30

A1726............................31

A1746............................32

A1859/A ........................33

A1860............................34

A1907............................35

A1908............................36

A1909............................37

A2042............................38

B1257............................39

B1258............................40

B1259............................41

B1351............................42

B1352............................43

B1382............................44

B1383............................45

B1420............................46

B1559............................47

B1560............................48

B1570............................49

B1587............................50

B1588............................51

B1647............................52

B1648............................53

B1649............................54

B1659............................55

B1685............................56

B1686............................57

B1687............................58

C2023 ...........................59

C2837 ...........................60

C2921 ...........................61

C2922 ...........................62

C3179 ...........................63

C3263 ...........................64

C3264 ...........................65

C3284 ...........................66

C3519/A ........................67

C3678 ...........................68

C3679 ...........................69

C3680 ...........................70

C3830 ...........................71

C3831 ...........................72

C3832 ...........................73

C3833 ...........................74

C3834 ...........................75

C3835 ...........................76

C3851/A ........................77

C3852/A ........................78

C3856 ...........................79

C3857 ...........................80

C3858 ...........................81

C3890 ...........................82

C3927 ...........................83

C4020 ...........................84

C4024 ...........................85

C4064 ...........................86

C4065 ...........................87

C4073 ...........................88

C4130 ...........................89 

C4131 ...........................90 

C4138 ...........................91

C4139 ...........................92

C4140 ...........................93

C4153 ...........................94

C4296 ...........................95

C4297 ...........................96

C4298 ...........................97

C4299 ...........................98

C4300 ...........................99

C4301 .........................100

C4304 .........................101

C4381/2 ......................102

C4388 .........................103

C4418 .........................104

C4434 .........................105

C4445 .........................106

C4466 .........................107

C4467 .........................108

C4468 .........................109

C4495 .........................110

C4511 .........................111

C4512 .........................112

C4517/A......................113

C4518/A......................114

C4546 .........................115

C4557 .........................116

C4662 .........................117

C4706 .........................118

C4883/A......................119

C4886 .........................120

C4907 .........................121

C4908 .........................122

C5002 .........................123

C5003 .........................124

C5071 .........................125

C5099 .........................126

C5100 .........................127

C5101 .........................128

C5124 .........................129

C5130 .........................130

C5239 .........................131

C5249 .........................132

C5271 .........................133

C5287 .........................134

C5333 .........................135

C5370 .........................136

D1769 .........................137

D1785 .........................138

D1796 .........................139

D2014 .........................140

D2015 .........................141

D2016 .........................142

D2017 .........................143

D2045 .........................144

D2081 .........................145

D2082 .........................146

D2083 .........................147

D2141 .........................148

D2389 .........................149

D2390 .........................150

D2401 .........................151

D2438 .........................152

D2439 .........................153

D2557 .........................154

D2558 .........................155

D2560 .........................156

D2561 .........................157

D2562 .........................158

D2589 .........................159

D2641 .........................160

D2642 .........................161

D2643 .........................162

SAH02 ........................163

SAH03 ........................164

SAP09N ......................165

SAP09P ......................166

SAP10N ......................167

SAP10P ......................168

SAP16N ......................169

SAP16P ......................170

SAP Series
Application

Information................171

Discontinued Parts 

Guide ........................176

Contents    

SANKEN POWER TRANSISTORS

2

Collector Current I

C

(A)

Transistor Selection Guide

■

V

CEO

-I

C

Collector–Emitter Voltage V

CEO

(V)

800

C3678  

C3679  

C3680  

C5124

C4020  

C4300  

C4301

C4299               

C5002

C4304               

C5003

C4445

C4908

600

C5249                                       

C4706

550

C4517  

C4518      

C3927

C4517A  

C4518A  

C4557

C5239  

C5287

500

C3830  

C3831

C4907

400

C4073  

C3832  

C4138  

C3833  

C4139  

C4140

C4418  

C3890  

C4296  

C4297  

C4298  

C4662  

C4130               

C5071  

C4434

C5130  

C4546

380

D2141

300

C2023

C5333

250

D2017

230

A1294  

A1295

C3263  

C3264

200

A1668  

D2016 

C5271  

A1493  

A1494

C4382   

D2557   

C3857

C3858

D2558

180

A1859A   

A1386A  

A1216

C4883A    

A1492  

C2922

A1673

C3519A

C3856

C4388

160

A1215  

A1386

C2921

C3519

150

A1667  

B1559  

A1186  

B1570  

A1303

B1647  

B1648

A1859  

B1587  

B1560  

D2401  

A1860  

B1649  

D2561

C4381  

D2389  

B1588  

C3284  

D2560

C4883  

D2438  

C2837  

C4886  

D2562

D2390

D2439

140

A1695

A1909

C4468

C5101

120

D2015  

D1769  

C3834  

A1694  

B1259  

B1382  

B1383

D1785  

C3835  

A1908  

D2081  

B1420  

D2083

D2045  

C4153  

C4467  

D2082

C5100

110

B1659

B1685

B1686

B1687

D2489

D2641

D2642

D2643

100

B1258

80

C3852A A1488A 

 

A1693

C3851A  

A1725

D2014  

A1726

A1907

C4466

C4511

C4512

C5099

60

C3852  

A1262  

A1568

A1488  

B1351

B1257  

B1352

C3179  

C4065

C3851

D1796

50

C4495  

A2042  

A1567  

C4131  

C4024

A1746

C4064

40

C5370                                                                                                                                 

2  

3  

4  

5  

6  

7  

8  

10  

12  

14  

15  

16  

17  

18  

25

C5271

C4073

C4418

C4662

C3832

C3890

C4130

C4138 C4296

C3833 C4297

C5071

C4139 C4298

C4434

C4140

C5130

C4546

C3830  

C4907

C3831

C5249 

3

550

600

800 

3

5

10

14

3

5

7

900

(1000) 

900

200

400 

400

5

5

7

10

12

15

18

5

7

6

10

3

250 

500 

600

■

Transistors for Switch Mode Power Supplies (for AC80 – 130V input)

■

Transistors for Switch Mode Power Supplies (for AC180 – 280V input)

Transistor Selection Guide

V

CBO

(V) V

CEO

(V)    

I

C

(A)    

MT-25         FM20          MT–100         FM100

(TO220)      (TO220F)       (TO3P)        (TO3PF)    

V

CBO

(V) V

CEO

(V)    

I

C

(A)    

MT-25         FM20          MT–100         FM100

(TO220)      (TO220F)       (TO3P)        (TO3PF)    

C5239

C4517(A)

C4518(A)

C5287

C3927

C4557

C4706

C4020   

C4908

C3678 C4299

C4304 C4445

C3679

C4300

C3680 C4301

500

600

Part No. 

P

C

(W) V

CEO

(V)    

I

C

(A)        h

FE

(min)      f

T

(MHz)    

Package

2SA1860/2SC4886

80

2SA1186/2SC2837

100

2SA1303/2SC3284

125

2SA1386/2SC3519

130

2SA1386A/2SC3519A

130

2SA1294/2SC3263

130

2SA1215/2SC2921

150

2SA1216/2SC2922

200

2SA1295/2SC3264

200

4

Transistors for Audio Amplifiers

FM20 (TO220F)

MT-25 (TO220)

MT-100 (TO3P)

FM100 (TO3PF)

MT-100 (TO3P)

FM100 (TO3PF)

MT-100 (TO3P)

MT-200 (2-screw mount)

●

Single Emitter

50

20

●

LAPT (Multi emitter for High Frequency)

Transistor Selection Guide

80

120

140

180

140

180

200

6

8

10

15

10

15

15

17

Part No. 

P

C

(W)  

V

CEO

(V)    

I

C

(A)       h

FE

(min)      f

T

(MHz)              Package

2SA1725/2SC4511

30

2SA1726/2SC4512

50

2SA1693/2SC4466

60

2SA1907/2SC5099

60

2SA1908/2SC5100

75

2SA1694/2SC4467

80

2SA1909/2SC5101

80

2SA1673/2SC4388

85

2SA1695/2SC4468

100

2SA1492/2SC3856

130

2SA1493/2SC3857

150

2SA1494/2SC3858

200

150

160

180

230

160

180

230

14

10

14

15

17

50

50

60

50

40

35

50

40

35

FM100 (TO3PF)

MT-100 (TO3P)

MT-200 (2-screw mount)

■

Single Transistors

●

Transistors with built in temperature compensation diodes for audio amplifier

Part No.

P

C

(W)

V

CEO

(V)

I

C

(A)

h

FE

(min)

Emitter Resistor(

Ω

)

SAP09P/SAP09N   

80

SAP10P/SAP10N

100

SAP16P/SAP16N   

150

150

150

160

10

12

15

5000

5000

5000

0.22

0.22

0.22

Part No. 

P

C

(W) V

CEO

(V)    

I

C

(A)       h

FE

(min)       f

T

(MHz)    

Package

2SB1686

2SD2642

2SB1659

2SD2589   

2SB1685

2SD2641   

2SB1687   

2SD2643   

2SB1587   

2SD2438   

2SB1559   

2SD2389   

2SB1588   

2SD2439

2SB1649

2SD2562   

2SB1560   

2SD2390   

2SB1647   

2SD2560   

2SB1570  

2SD2401

2SB1648

2SD2561

5

FM20 (TO220F)

MT-25 (TO220)

MT-100 (TO3P)

FM100 (TO3PF)

MT-100 (TO3P)

FM100 (TO3PF)

MT-100 (TO3P)

MT-200 (2-screw mount)

■

Darlington Transistors

6

8

10

15

10

15

12

17

5000

30

50

60

60

75

80

80

85

100

130

150

200

110

150

200

150

150

Part No.             P

C

(W) V

CEO

(V)         I

C

(A)        h

FE

(min)       f

T

(MHz)     Package

Remarks

2SC4495

2SC4883   

2SC4883A

2SA1859   

2SA1859A

50

150

180

–150

–180

■

Temperature compensation Transistors and Driver Transistors

25

20

20

3

2

–2

500

60

60

40

120

60

FM20 

(TO220F)

Temperature compensation

Driver, Complement 2SA1859

Driver, Complement 2SA1859A

Driver, Complement 2SC4883

Driver, Complement 2SC4883A

100

60

100

60

100

60

100

60

65

80

65

80

50

55

45

70

50

55

45

70

50

55

45

70

Transistor Selection Guide

4. Applications Considered on Reliability

a) The type and specifications of our transistors and semiconductor

devices vary depending on the application that will be required by
their intended use. Customer should, therefore, determine 

which type will best suit their purposes.

b) Note that high temperratures or long soldering periods must be avoid-

ed during soldering, as heat can be transmitted through external

leads into the interior. This may cause deterioration if the maximum
allowable temperature is exceeded.

c) When using the trasistor 

under pulse operation or
inductive load, the Safe
Operating Area (SOA) for
the current and voltage must
not be exceeded (Figure 2).

d) The reliability of transistors and semiconductor devices is greatly

affected by the stress of junction temperature. If we accept in general

proceed in the form of Arrhenius equation, the relationship between

the junction temperature Tj and lifespan L can be expressed with
the following empirical formula 

n L = A+ 

Tj 

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

(4)

It is, hence, very important to derate the junction temperature to

assure a high reliability rate.

5. Reliability Test

Sanken bases its test methods and conditions on the following

standards. Tests are conducted under these or stricter conditions,
The details of these are shown in Table 1.

• MIL-STD-202F (Test method for electrical and electronic com-

ponents)

• MIL-STD-750C (Test method for semiconductor equipment)
• JIS C 7021 (Endurance test and environmental test method for

individual semiconductor devices)

• JIS C 7022 (Endurance test and environmental test method for

integrated circuits of  semiconductors)

6. Quality Assurance

To ensure high quality and high reliability, quality control and produc-
tion process control procedures are executed from the receipt of parts
through the entire production process. Our quality assurance system
is shown in Figure 3.

1. Definition of Reliability

The word reliablity is an abstract term which refers to the degree to
which equipment or components, such as semiconductor devices, are
resistant to failure. Reliability can be and is often measured quantitatively.
Reliability is defined as “whether equipment or components (such as
a semiconductor device) under given conditions perform the same at
the end of a given period as at the beginning.”

2. Reliability Function

In general, there are three types of failure modes in electronic com-
ponents:

1. Infant failure
2. Random failure
3. Wear-out failure

These three types of failure describe “bathtub curve” shown in
Figure 1. Infant failures can be attributed to trouble in the production
process and can be eliminated by aging befor shipment to customers,
stricter control of the production process and quality control measures.
Semiconductor devices such as transistors, unlike electronic equipment,
take a considerable amount of time to reach the stage where wear-out 
failure begins to occur. And, as shown in Figure 1 (b), they also last
much longer than electronic equipment. This shows that the longer they
are used the more stable they actually become.
The reduction that occurs in random failures can be approximated by
Weibull distribution, logarithmic normal distribution, or gamma distri-
bution, but Weibull distribution best expresses the phenomenon that
occurs with transistors.     

3. Quantitative Expression of Reliability

While there are many ways to quantitatively express reliability, two
criteria, failure rate and life span, are generally used to define the
reliability of semiconductors such as transistrors.

a) Failure Rate (FR)

Failure rate often refers to instantaneous failures or 

λ 

(t). In general

of reliability theory, however, the cumulative failure rate, or Relia-
bility Index, is 

F 

⋅

R =  

N 

⋅

t 

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

(1)

Where N = Net quantity used, and

r(t) = Net quantitiy failed after t hours

If we assign t the arbitrary

F 

⋅

R =  

N  

×

100 (%/1,000 hours)

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

(2)

In situations where the cumulative failure rate is small, failure is ex-
pressed in units of one Fit, 10-

9

(failures/hours).

b) 

Life Span(L)

Life Span can be expressed in terms of average lifespan or as Mean
Time Between Failure (MTBF), but assuming that random failure
is shown by the Index Distribution [

λ 

(t) = constant], then Life Span

or L can be shown by the equation 

L =  

F 

⋅

R 

(hours)

⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅⋅

(3)

6

Reliability

r(t)

(a)

(b)

General Electronic
Equipment or
Components

Semiconductor

Devices

Time (t)

Failure Rate (

λ

)

Estimation

Initial
Failure

Random or
Chance Failure

Wear-out
Failure

Figure 1  Bath Tub Curve

r

1

SOA(Safe Operating Area)

Max.Allowable 

Current

Max.

Allowable

Voltage Vceo(Max)

Collector-Emitter Voltage Vce(V)

Collector Current Ic(A)

Secondary Breakdown Locus

Max Allowable Power

Figure 2  SOA

B

Material Purchasing

Incoming Inspection

Production Process

Physical and Chemical Inspection

Quality Control

Production Process Control

Specialized Tests for all units

Shipping Inspection

Shipment

Marking
Packing

Periodical Quality Assurance Test
  1. Operational Life (continuous) Test
  2. Operational Life (intermittent) Test
  3. High Temperature Storage Test
  4. Low Temperature Storage Test
  5. Moisture Resistance Test
  6. Heat Cycle Test
  7. Heat Shock Test
  8. Soldering Heat Test
  9. Vibaration Test
10. Drop Test

7

Test

Continuous Operations Test

Intermittent Operation Test

High Temperature Storage Test

Low Temperature Storage Test

Moisture Resistance Test

Heat Cycle Test

Heat Shock Test

Soldering Heat Test

Vibrations Test

Drop Test

Details of the Testing Method

Collector dissipation with maximum junction temperature is applied continuously at
room temperature to judge lifespan and reliability under transistor operating conditions.

Power equal to that used in the Continuous Operations Test is applied intermittently
to test the transistor’s lifespan and reliability under on and off conditions.

Confirms the highest storage temperature and operating temperature of transistors.

Confirms the lowest storage temperature of transistors.

Tested at RH=85% and TA=85°C for the effects of the interaction between
temperature and humidity, and the effects of surface insulation between electrodes
and high temperature/high humidity.

Tested at Tstg min – Room temp. – Tstg max – Room temp. for 10 cycles (one cycle
30 min. –5 min. –30 min. –5 min.) to detect mechanical faults and characteristic
changes caused by thermal expansion and shrinkage of the transistor.

Tested at 100°C (5 min.), 25°C (within 3 sec.), 0°C (5 min.) for 10 cycles to check for
mechanical faults and characteristic changes caused by thermal expansion and
shrinkage of transistor.

Tested at 260 ± 5°C, 10 ± 1 sec, by dipping lead wire to 1.5mm from the seating plane
in solder bath to check for characteristic changes caused by drastic temperature rises
of exterior lead wire.

Tested at amplitude 1.52mm, vibration frequency 10-55 Hz in directions of X, Y, Z, for
2 hours each (total 6 hours) to check for characteristic changes caused by vibration
during operation and transportion.

Tested by dropping 10 times from 75 cm height to check for mechanical endurance
and characteristic changes caused by shock during handling.

Table 1:  Test Methods and Conditions

LTPD(%)

*5/1000hrs

5/1000hrs

5/1000hrs

5/1000hrs

5/1000hrs

5

5

5

5

5

Figure 3  Quality Assurance System

∗

Reliability Standard : 60%

Reliability

7. Notes Regarding Storage, Characteristic Tests, and Handling

Since reliability can be affected adversely by improper storage 

environment and handling methods during Characteristic tests,

please observe the following cautions.

a)  Cautions for Storage

1. Ensure that storage conditions comply with the standard 

temperature (5 to 35°C) and the standard relative humidity

(arround 40 to 75%) and avoid storage locations that 

experience extreme changes in temperature or humidity.

2. Avod locations where dust or harmful gases are present, 

and avoid direct sunlight.

3. Reinspect for rust in leads and solderbility that have been

stored for a long time.

b) Cautions for Characteristic Tests and Handling

1. When characteristic tests are carried out during inspection

testing and other standard test periods, protect the transistor

from surges of power from the testing device, shorts between

the transistor and the heatsink

c) Silicone Grease

When using a heatsink, please coat the back surface of the 

transistor and both surfaces of the insulating plate with a thin

layer of silicone grease to improve heat transfer between the

transistor and the heatsink.

Recommended Silicone Grease

• G-746 (Shin-Etsu Chemical)

• YG6260 (GE Toshiba Silicone)

• SC102 (Dow Corning Toray Silicone)

d) Torque when Tightening Screws

Thermal resistance increases when tightening torque is small,

and radiation effects are decreased. When the torque is too 

high, the screw can cut, the heatsink can be deformed, and/or

distortion can arise in the product’s frame. To avoid these

problems, Table 2 shows the recommended tightening torques

for each product type.

Table 2.   Screw Tightening Torques

Package

Screw Tightening Torque

MT25 (TO-220)   

0.490 to 0.686 N · m (5 to 7kgf · cm)

FM20 (TO-220 Full Mold) 

0.490 to 0.686 N · m (5 to 7kgf · cm)

MT100 (TO-3P)                 

0.686 to 0.822 N · m (7 to 9kgf · cm)

FM100 (TO-3P Full Mold)  

0.686 to 0.822 N · m (7 to 9kgf · cm)

MT200 ( two-point mount)

0.686 to 0.822 N · m (7 to 9kgf · cm)

2GR ( one-point mount)

0.686 to 0.822 N · m (7 to 9kgf · cm)

e) Soldering Temperature

In general, the transistor is subjected to high temperatures when

it is mounted on the printed circuit board, whether from flow solder

from a solderbath, or, in hand operations from a soldering iron.

The testing method and test conditions (JIS-C-7021 standards) 

for a transistor’s heat resistance during soldering are:

At a distance of 1.5mm from the transistor’s main body,

apply 260°C for 10 seconds, and 350°C for 3 seconds.

However, please stay well within these limits and for as short

a time as possible during actual soldering.

8

Reliability

9

■

Temperature Derating in Safe Operating Area

Flange (case) temperature is typically described as 25°C, but it must be derated subject to the operating
temperature.
This derating curve is determined by manufacturing conditions of devices, materials used etc. and in case of a
silicon transistor, breakdown voltage and DC Current Gain are significantly deteriorated in the temperature
range of 260°C to 360°C.
Hence, the collector current must be derated by using the derating curve in Fig.2 where the breakdown point is
set at 260°C.

0

100

50

0

50

100

150

200

250

300

S/B limiting area

Pc limiting area

Case Temp Tc (°C)

Collector Current

Derating coefficient DF (%)

Tc=25°C

S/B limiting area

Pc limiting area

Collector-Emitter Voltage V

CE

 (V)

Collector Current Ic (A)

Fig.1  Safe Operating Area

Derating coefficient is obtained from temperature in Fig.2 and it must be applied to the current value of the safe
operating area in order to obtain the derated current.

■

Accessories

✩

Sanken Transistors do not include accessories. Accessories may be attached at a cost if requested.

✩

Sanken transistor case is a standard size, and can be used with any generally sold accessories. 

ø3.75

5.0

±0.1

R0.5

19.4

±0.1

14.0

±0.1

7.0

+0.1

– 0

ø3.2

7.0

R0.5

24.0

20.0

±0.1

±0.1

10.0

+0.1

–0

+0.2

–0

+0.2 –

0

2–ø3.2

R0.5

+0.1

–0

39.0

±0.1

24.0

±0.1

12.0

±0.1

24.38

±0.1

6.0

±0.2

2.5

±0.2

1.5

±0.2

3.7

±0.1

3.1

±0.1

• Insulater: Mica, with a thickness of 0.06mm, +0.045 –0.005 allowance

• Insulation Bush for MT-25 (TO220)

Type Name:Mold(10)Mica     Type Name:Mold(14)Mica       Type Name:Mold(9)Mica

Reliability

Fig.2  Derating Curve of Safe Operating Area

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

Tstg

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

V

BE

(sat)

V

FEC

f

T

Cob

Item

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

Collector Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Collector-Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Emitter-Collector Diode Forward Voltage

Cut-off Frequency

Collector Junction capacitance

Definition

DC Voltage between Collector and Base when Emitter is open

Voltage between Collector and Emitter when Base is open and voltage is reversely applied to Collector junction

DC voltage between Emitter and Base when Collector is open

DC current passing through Collector electrode

DC current passing through Base electrode

Power consumed at Collector junction

Maximum allowable temperature value at absolute maximum ratings

Maximum allowable range of ambient temperature at non-operation

Collector current when Emitter is open and a specified reverse voltage is applied between Collector and Base

Emitter current when Collector is open and a specified reverse voltage is applied between Emitter and Base

Breakdown voltage between Collector and Emitter when Base is open

Ratio of DC output current and DC input current at a specified voltage and current (Emitter common)

DC voltage between Collector and Emitter under specified saturation conditions

DC voltage between Base and Emitter under specified saturation conditions

Diode forward voltage between Emitter and Collector when Base is open

Frequency at the specified voltage and current where h

FE

is 1 (0dB)

Junction capacitance between collector and Base at a specified voltage and frequency

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

10

■

Switching Characteristics Test Circuit/Measurement Wave Forms

V

CC

R

L

I

C

V

B2

V

BB1

V

BB2

I

B1

I

B2

tr

tstg 

tf

(V)  

(

Ω

)          (A)  

(V)  

(V)       

(V)  

(A)  

(A)         (

µ

s)         (

µ

s)        (

µ

s)

20

µ

s

+

V

BB2

–

V

BB1

R

2

R

1

–

V

CC

0

D.U.T

I

B2

I

C

R

L

I

B1

50

µ

s

0

0

GND

0.9I

C

I

B2

I

B1

I

C

ton

0

Base

Current

Collector

Current 0.1I

C

tstg tf

0

0

20

µ

s

+

V

BB1

–

V

BB2

R

1

R

2

V

CC

0.9I

C

I

B2

I

B1

I

C

ton

0

0

D.U.T

I

B1

I

C

R

L

I

B2

50

µ

s

0

0

GND

0.1I

C

tstg tf

0

0

Base

Current

Collector

Current

Symbols

NPN

PNP

Switching Characteristics

• Ta=25°C unless otherwise specified.

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC2837)

Application : Audio and General Purpose

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

Ratings

–150

–150

–5

–10

–2

100(Ta=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

External Dimensions MT-100(TO3P)

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

Ratings

–100

max

–100

max

–150

min

50

min

∗

–2.0

max

60

typ 

110

typ

Unit

µ

A

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=–150V

V

EB

=–5V

I

C

=–25mA

V

CE

=–4V, I

C

=–3A

I

C

=–5A, I

B

=–0.5A 

V

CE

=–12V, I

E

=1A

V

CB

=–80V, f=1MHz

V

CC

(V)

–60

R

L

(

Ω

) 

12

I

C

(A)

–5

V

B2

(V) 

5

I

B2

(mA)

500

t

on

(

µ

s)

0.25typ

t

stg

(

µ

s)

0.8typ

t

f

(

µ

s)

0.2typ

I

B1

(mA) 

–500

15.6

±0.4

9.6

19.9

±0.3

4.0

2.0

5.0

±0.2

1.8

ø3.2

±0.1

2

3

1.05

+0.2

-0.1

20.0min

4.0max

B

E

5.45

±0.1

5.45

±0.1

C

4.8

±0.2

0.65

+0.2

-0.1

1.4

2.0

±0.1

a

b

Weight : Approx 6.0g
a. Part No.
b. Lot No.

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

P c – T a  Derating

0

0

– 2

– 4

– 6

– 8

– 1 0

– 1

– 2

– 3

– 4

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

–400mA

I

B

= – 2 0 m A

–200mA

– 1 6

0 m

A

– 1 2

0 m A

– 1 0 0 m

A

– 8 0 m A

– 6 0 m A

– 4 0 m A

0

– 3

– 2

– 1

0

– 0 . 5

– 1 . 0

– 2 . 0

– 1 . 5

B a s e   C u r r e n t   I

B

( A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

I

C

= – 1 0 A

– 5 A

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 0

2 0

5 0

1 0 0

3 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 4 V )

T y p

Safe Operating Area (Single Pulse)

– 2

– 1 0

– 1 0 0

– 2 0 0

– 0 . 2

– 1

– 0 . 5

– 1 0

– 3 0

– 5

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

10ms

DC

Without Heatsink 

Natural Cooling

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

0 . 0 2

0 . 1

1

1 0

0

2 0

4 0

6 0

8 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

Typ

0 . 2

1

3

0 . 5

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0 2 0 0 0

T i m e   t ( m s )

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

1 0 0

5 0

3 . 5

0

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

W i t h o u t   H e a t s i n k

0

– 1 0

– 2

– 6

– 4

– 8

0

– 2

– 1

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 4 V )

125˚C (Case Temp)

25˚C (Case Temp)

–30˚C (Case Temp)

( V

C E

= – 4 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 0 . 5

– 1

– 5

– 0 . 5

– 5

– 1 0

3 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

2 5 ˚ C

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

∗

h

FE

Rank   O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

LAPT

2SA1186

11

12

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

Ratings

–160

–160

–5

–15

–4

150(Tc=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

Ratings

–100

max

–100

max

–160

min

50

min

∗

–2.0

max

50

typ 

400

typ

Unit

µ

A

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=–160V

V

EB

=–5V

I

C

=–25mA

V

CE

=–4V, I

C

=–5A

I

C

=–5A, I

B

=–0.5A 

V

CE

=–12V, I

E

=2A

V

CB

=–10V, f=1MHz

V

CC

(V)

–60

R

L

(

Ω

) 

12

I

C

(A)

–5

V

B2

(V) 

5

I

B2

(mA)

500

t

on

(

µ

s)

0.25typ

t

stg

(

µ

s)

0.85typ

t

f

(

µ

s)

0.2typ

I

B1

(mA) 

–500

LAPT

2SA1215

2

3

1.05

+0.2

-0.1

B

E

5.45

±0.1

5.45

±0.1

2-ø3.2

±0.1

36.4

±0.3

9

24.4

±0.2

7

21.4

±0.3

20.0min

4.0max

0.65

+0.2

-0.1

3.0

+0.3

-0.1

6.0

±0.2

2.1

a

b

C

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

P c – T a  Derating

0

0

– 4

– 8

– 1 2

– 1 6

– 1

– 2

– 3

– 4

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

– 5 0 m A

– 1 0 0 m A

I

B

= – 2 0 m A

–600mA

–500mA

–400mA –30

0 m

A

– 2 0 0

m A

– 1 5 0 m

A

–750mA

0

– 3

– 2

– 1

0

– 0 . 2

– 0 . 4

– 1 . 0

– 0 . 6

– 0 . 8

B a s e   C u r r e n t   I

B

( A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

I

C

= – 1 0 A

– 5 A

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 0 – 1 5

1 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 4 V )

T y p

Safe Operating Area (Single Pulse)

– 2

– 1 0

– 1 0 0

– 2 0 0

– 0 . 2

– 1

– 0 . 5

– 1 0

– 4 0

– 5

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

Without Heatsink 

Natural Cooling

DC

10ms

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

0 . 0 2

0 . 1

1

1 0

0

2 0

4 0

6 0

8 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

Typ

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0

2 0 0 0

T i m e   t ( m s )

0 . 1

1

2

0 . 5

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

1 6 0

1 2 0

8 0

4 0

5
0

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

0

– 1 5

– 1 0

– 5

0

– 2

– 1

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 4 V )

125˚C (Case Temp)

25˚C (Case Temp)

–30˚C (Case Temp)

( V

C E

= – 4 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 0 . 5

– 1

– 5

– 0 . 5

– 5

– 1 0 – 1 5

3 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

With Infinite heatsink

W i t h o u t   H e a t s i n k

∗

h

FE

Rank   O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC2921)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions MT-200

Weight : Approx 18.4g
a. Part No.
b. Lot No.

∗

h

FE

Rank   O(30 to 60), Y(50 to 100), P(70 to 140), G(90 to 180)

13

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC2922)

Application : Audio and General Purpose

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

Ratings

–180

–180

–5

–17

–5

200(Tc=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

SymboI

V

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

Ratings

–100

max

–100

max

–180

min

30

min

∗

–2.0

max

40

typ 

500

typ

Unit

µ

A

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=–180V

V

EB

=–5V

I

C

=–25mA

V

CE

=–4V, I

C

=–8A

I

C

=–8A, I

B

=–0.8A 

V

CE

=–12V, I

E

=2A

V

CB

=–10V, f=1MHz

V

CC

(V)

–40

R

L

(

Ω

) 

4

I

C

(A)

–10

V

B2

(V) 

5

I

B2

(A)

1

t

on

(

µ

s)

0.3typ

t

stg

(

µ

s)

0.7typ

t

f

(

µ

s)

0.2typ

I

B1

(A) 

–1

LAPT

2SA1216

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

P c – T a  Derating

0

0

– 5

– 1 0

– 1 5

– 1 7

– 1

– 2

– 3

– 4

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

–1.5A

– 5 0 m A

– 1 0 0 m A

I

B

= – 2 0 m A

–700mA

–500mA

–1A

– 4 0

0 m

A

– 3 0 0 m

A

– 2 0 0 m A

– 1 5 0 m A

0

– 3

– 2

– 1

0

– 0 . 2

– 0 . 4

– 1 . 0

– 0 . 6

– 0 . 8

B a s e   C u r r e n t   I

B

( A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

I

C

= – 1 0 A

– 5 A

Safe Operating Area (Single Pulse)

– 2

– 1 0

– 1 0 0

– 3 0 0

– 0 . 2

– 1

– 0 . 5

– 1 0

– 5 0

– 5

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

Without Heatsink 

Natural Cooling

DC

10ms

0 . 0 2

0 . 1

1

1 0

0

2 0

4 0

6 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

Typ

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0

2 0 0 0

T i m e   t ( m s )

0 . 1

1

2

0 . 5

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

2 0 0

1 6 0

1 2 0

8 0

4 0

5
0

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

W i t h o u t   H e a t s i n k

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

( V

C E

= – 4 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 0 . 5 – 1

– 5

– 1 0 – 1 7

1 0

5 0

1 0 0

2 0 0

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 0

– 0 . 5

– 5

– 1 7

1 0

5 0

1 0 0

3 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 4 V )

T y p

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

0

– 1 7

– 1 5

– 1 0

– 5

0

– 2

– 2 . 4

– 1

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 4 V )

125˚C(Case Temp)

25˚C(Case Temp)

–

30˚C(Case Temp)

External Dimensions MT-200

2

3

1.05

+0.2

-0.1

B

E

5.45

±0.1

5.45

±0.1

2-ø3.2

±0.1

36.4

±0.3

9

24.4

±0.2

7

21.4

±0.3

20.0min

4.0max

0.65

+0.2

-0.1

3.0

+0.3

-0.1

6.0

±0.2

2.1

a

b

C

Weight : Approx 18.4g
a. Part No.
b. Lot No.

14

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3179)

External Dimensions MT-25(TO220)

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

Ratings

–60

–60

–6

–4

–1

30(Tc=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

Ratings

–100

max

–100

max

–60

min

40

min

–0.6

max

15

typ

90

typ

Unit

µ

A

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=–60V

V

EB

=–6V

I

C

=–25mA

V

CE

=–4V, I

C

=–1A

I

C

=–2A, I

B

=–0.2A 

V

CE

=–12V, I

E

=0.2A

V

CB

=–10V, f=1MHz

V

CC

(V)

–20

R

L

(

Ω

) 

10

I

C

(A)

–2

V

BB2

(V) 

5

I

B2

(mA)

200

t

on

(

µ

s)

0.25typ

t

stg

(

µ

s)

0.75typ

t

f

(

µ

s)

0.25typ

I

B1

(mA) 

–200

2SA1262

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

P c – T a  Derating

Safe Operating Area (Single Pulse)

– 1 0

– 5 0

– 1 0 0

– 2

– 5

– 1

– 0 . 5

– 0 . 1

– 1 0

– 5

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

Without Heatsink

Natural Cooling

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

0

– 1 . 5

– 1 . 0

– 0 . 5

– 0 . 1

–0.1

–0.5

–0.5

–1

B a s e   C u r r e n t   I

B

( A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

I

C

= – 3 A

– 2 A

– 1 A

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

1ms

10ms

100ms

DC

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

0

– 4

– 3

– 2

– 1

0

– 1 . 5

– 0 . 5

– 1 . 0

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 4 V )

125˚C (Case Temp)

25˚C (Case Temp)

–30˚C (Case Temp)

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

( V

C E

= – 4 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 4

2 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

– 0 . 0 1

– 0 . 1

– 1

– 4

2 0

5 0

1 0 0

5 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 4 V )

T y p

– 0 . 5

0

0

– 2

– 1

– 3

– 4

– 2

– 1

– 3

– 4

– 5

– 6

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

– 3 0 m A

– 4 0 m A

– 5 0 m A

– 6 0 m

A

– 2 0 m A

– 1 0 m A

I

B

= – 5 m A

–80mA

0 . 7

1

5

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0

T i m e   t ( m s )

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

0.005 0.01

0.05

0 . 5

0 . 1

1

3

0

1 0

2 0

3 0

6 0

5 0

4 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

T y p

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

3 0

2 0

1 0

2

0

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

W i t h o u t   H e a t s i n k

V

BB1

(V) 

–10

Application : Audio and General Purpose

B

E

2.5

2.5

C

16.0

±0.7

12.0min

4.0max

8.8

±0.2

1.35

0.65

+0.2

-0.1

10.2

±0.2

ø3.75

±0.2

3.0

±0.2

4.8

±0.2

1.4

2.0

±0.1

a

b

Weight : Approx 2.6g
a. Part No.
b. Lot No.

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3263)

Application : Audio and General Purpose

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

Ratings

–230

–230

–5

–15

–4

130(Tc=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

Ratings

–100

max

–100

max

–230

min

50

min

∗

–2.0

max

35

typ

500

typ

Unit

µ

A

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=–230V

V

EB

=–5V

I

C

=–25mA

V

CE

=–4V, I

C

=–5A

I

C

=–5A, I

B

=–0.5A 

V

CE

=–12V, I

E

=2A

V

CB

=–10V, f=1MHz

V

CC

(V)

–60

R

L

(

Ω

) 

12

I

C

(A)

–5

V

BB2

(V) 

5

I

B2

(mA)

500

t

on

(

µ

s)

0.35typ

t

stg

(

µ

s)

1.50typ

t

f

(

µ

s)

0.30typ

I

B1

(mA) 

–500

LAPT

2SA1294

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

P c – T a  Derating

0

0

– 5

– 1 0

– 1 5

– 1

– 2

– 3

– 4

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

–3.0A

– 5 0 m A

– 1 0 0 m A

I

B

= – 2 0 m A

–1.5A

–1.0A

–500mA

– 3 0

0 m

A

– 2 0

0 m A

0

–   3

– 2

– 1

0

– 0 . 5

– 1 . 0

– 2 . 0

– 1 . 5

B a s e   C u r r e n t   I

B

( A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

I

C

= – 1 0 A

– 5 A

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 0

– 5

– 0 . 5

– 1 5

1 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 4 V )

T y p

– 3

– 1 0

– 1 0 0

– 3 0 0

– 0 . 1

– 0 . 0 5

– 1

– 0 . 5

– 1 0

– 4 0

– 5

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

10ms

DC

Without Heatsink

Natural Cooling

0 . 0 2

0 . 1

1

1 0

0

2 0

4 0

6 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

Typ

0 . 1

1

3

0 . 5

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0 2 0 0 0

T i m e   t ( m s )

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

1 3 0

1 0 0

5 0

3 . 5

0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

W i t h o u t   H e a t s i n k

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

0

– 1 5

– 1 0

– 5

0

– 2

– 2 . 5

– 1

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 4 V )

125˚C (CaseTemp)

25˚C (CaseTemp)–30˚C (CaseTemp)

( V

C E

= – 4 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 0 . 5

– 1

– 5

– 1 5

– 1 0

1 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

–2.0A

V

BB1

(V) 

–10

External Dimensions MT-100(TO3P)

15.6

±0.4

9.6

19.9

±0.3

4.0

2.0

5.0

±0.2

1.8

ø3.2

±0.1

2

3

1.05

+0.2

-0.1

20.0min

4.0max

B

E

5.45

±0.1

5.45

±0.1

C

4.8

±0.2

0.65

+0.2

-0.1

1.4

2.0

±0.1

a

b

Weight : Approx 6.0g
a. Part No.
b. Lot No.

15

∗

h

FE

Rank   O(50 to 100), Y(70 to 140)

∗

h

FE

Rank   O(50 to 100), Y(70 to 140)

16

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3264)

Application : Audio and General

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

Ratings

–230

–230

–5

–17

–5

200(Tc=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

Ratings

–100

max

–100

max

–230

min

50

min

∗

–2.0

max

35

typ

500

typ

Unit

µ

A

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=–230V

V

EB

=–5V 

I

C

=–25mA

V

CE

=–4V, I

C

=–5A

I

C

=–5A, I

B

=–0.5A 

V

CE

=–12V, I

E

=2A

V

CB

=–10V, f=1MHz

LAPT

2SA1295

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

V

CC

(V)

–60

R

L

(

Ω

) 

12

I

C

(A)

–5

V

BB2

(V) 

5

I

B2

(mA)

500

t

on

(

µ

s)

0.35typ

t

stg

(

µ

s)

1.50typ

t

f

(

µ

s)

0.30typ

I

B1

(mA) 

–500

V

BB1

(V) 

–10

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

P c – T a  Derating

0

0

– 5

– 1 0

– 1 5

– 1 7

– 1

– 2

– 3

– 4

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

–3.0A

– 5 0 m A

– 1 0 0 m A

I

B

= – 2 0 m A

–2.0A

–1.5A

–1.0A

– 5

0 0

m A

– 3 0

0 m A

– 2 0 0

m A

0

–   3

– 2

– 1

0

– 0 . 5

– 1 . 0

– 2 . 0

– 1 . 5

B a s e   C u r r e n t   I

B

( A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

I

C

= – 1 0 A

– 5 A

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 0

– 0 . 5

– 5

– 1 7

1 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 4 V )

T y p

Without Heatsink

Natural Cooling

– 3

– 1 0

– 1 0 0

– 3 0 0

– 0 . 1

– 0 . 0 5

– 1

– 0 . 5

– 1 0

– 4 0

– 5

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

10ms

DC

0 . 0 2

0 . 1

1

1 0

0

2 0

4 0

6 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

Typ

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0

2 0 0 0

T i m e   t ( m s )

0 . 1

1

2

0 . 5

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

2 0 0

1 6 0

1 2 0

8 0

4 0

5
0

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

W i t h o u t   H e a t s i n k

0

– 1 0

– 5

– 1 5

– 1 7

0

– 3 . 2

– 2 . 4

– 1 . 6

– 0 . 8

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 4 V )

125˚C (Case Temp)

25˚C 

–30˚C (Case Temp)

( V

C E

= – 4 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 0 . 5

– 1

– 5

– 1 0 – 1 7

1 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

External Dimensions MT-200

2

3

1.05

+0.2

-0.1

B

E

5.45

±0.1

5.45

±0.1

2-ø3.2

±0.1

36.4

±0.3

9

24.4

±0.2

7

21.4

±0.3

20.0min

4.0max

0.65

+0.2

-0.1

3.0

+0.3

-0.1

6.0

±0.2

2.1

a

b

C

Weight : Approx 18.4g
a. Part No.
b. Lot No.

∗

h

FE

Rank   O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

17

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3284)

Application : Audio and General Purpose

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

Ratings

–150

–150

–5

–14

–3

125(Tc=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

Ratings

–100

max

–100

max

–150

min

50

min

–2.0

max

50

typ

400

typ

Unit

µ

A

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=–150V

V

EB

=–5V

I

C

=–25mA

V

CE

=–4V, I

C

=–5A

I

C

=–5A, I

B

=–0.5A 

V

CE

=–12V, I

E

=2A

V

CB

=–10V, f=1MHz

V

CC

(V)

–60

R

L

(

Ω

) 

12

I

C

(A)

–5

V

BB2

(V) 

5

I

B2

(mA)

500

t

on

(

µ

s)

0.25typ

t

stg

(

µ

s)

0.85typ

t

f

(

µ

s)

0.2typ

I

B1

(mA) 

–500

LAPT

2SA1303

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

P c – T a  Derating

0

0

– 4

– 8

– 1 2

– 1

– 2

– 3

– 4

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

– 5 0 m A

– 1 0 0 m A

I

B

= – 2 0 m A

–600mA

–700mA

–500mA

–400mA

–300mA

– 2 0 0

m A

– 1 5 0 m

A

0

– 3

– 2

– 1

0

– 0 . 2

– 0 . 4

– 1 . 0

– 0 . 6

– 0 . 8

B a s e   C u r r e n t   I

B

( A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

I

C

= – 1 0 A

– 5 A

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 0 . 5

– 1 0

– 5

– 1 4

2 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 4 V )

T y p

– 3

– 1 0

– 1 0 0

– 2 0 0

– 0 . 2

– 1

– 0 . 5

– 1 0

– 4 0

– 5

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

Without Heatsink

Natural Cooling

DC

10ms

1ms

100ms

0 . 0 2

0 . 1

1

1 0

0

2 0

4 0

6 0

8 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

Typ

0 . 1

1

3

0 . 5

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0

2 0 0 0

T i m e   t ( m s )

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

( V

C E

= – 4 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 0 . 5

– 1

– 5

– 1 0 – 1 4

3 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

1 3 0

1 0 0

5 0

3 . 5

0

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

W i t h o u t   H e a t s i n k

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

0

– 1 4

– 1 0

– 5

0

– 2

– 1

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 4 V )

125˚C (Case Temp)

25˚C (Case Temp)

–30˚C (Case Temp)

V

BB1

(V) 

–10

External Dimensions MT-100(TO3P)

15.6

±0.4

9.6

19.9

±0.3

4.0

2.0

5.0

±0.2

1.8

ø3.2

±0.1

2

3

1.05

+0.2

-0.1

20.0min

4.0max

B

E

5.45

±0.1

5.45

±0.1

C

4.8

±0.2

0.65

+0.2

-0.1

1.4

2.0

±0.1

a

b

Weight : Approx 6.0g
a. Part No.
b. Lot No.

∗

h

FE

Rank   O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

18

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3519/A)

Application : Audio and General Purpose

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

–5

–15

–4

130(Tc=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

2SA1386

–100

max

–160

–160

min

Unit

µ

A

V

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=

V

EB

=–5V

I

C

=–25mA

V

CE

=–4V, I

C

=–5A

I

C

=–5A, I

B

=–0.5A 

V

CE

=–12V, I

E

=2A

V

CB

=–10V, f=1MHz

LAPT

2SA1386/1386A

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

V

CC

(V)

–40

R

L

(

Ω

) 

4

I

C

(A)

–10

V

BB2

(V) 

5

I

B2

(A)

1

t

on

(

µ

s)

0.3typ

t

stg

(

µ

s)

0.7typ

t

f

(

µ

s)

0.2typ

I

B1

(A) 

–1

V

BB1

(V) 

–10

2SA1386A

–100

max

–180

–180

min

–100

max

50

min

∗

–2.0

max

40

typ

500

typ

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

P c – T a  Derating

0

0

– 5

– 1 0

– 1 5

– 1

– 2

– 3

– 4

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

– 5 0 m A

– 1 0 0 m A

I

B

= – 2 0 m A

–700mA

–500mA–400mA

– 3 0 0 m

A

– 2 0 0 m A

– 1 5 0 m A

0

– 3

– 2

– 1

0

– 0 . 2

– 0 . 4

– 1 . 0

– 0 . 6

– 0 . 8

B a s e   C u r r e n t   I

B

( A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

I

C

= – 1 0 A

– 5 A

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 0

– 0 . 5

– 5

– 1 5

1 0

1 0 0

3 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 4 V )

T y p

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

– 3

– 1 0

– 5 0

– 1 0 0

– 2 0 0

– 0 . 1

– 0 . 0 5

– 1

– 0 . 5

– 1 0

– 4 0

– 5

10ms

Without Heatsink

Natural Cooling

1 . 2 S A 1 3 8 6

2 . 2 S A 1 3 8 6 A

1

2

DC

0 . 0 2

0 . 1

1

1 0

0

2 0

4 0

6 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

Typ

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

1 3 0

1 0 0

5 0

3 . 5

0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

W i t h o u t   H e a t s i n k

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

0

– 1 5

– 1 0

– 5

0

– 2

– 1

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 4 V )

125˚C (Case Temp)

25˚C (Case Temp)

–30˚C (Case Temp)

( V

C E

= – 4 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 0 . 5

– 1

– 5

– 1 0 – 1 5

2 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

θ

j - a

– t

 

Characteristics

0 . 1

1

3

0 . 5

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0

2 0 0 0

T i m e   t ( m s )

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

External Dimensions MT-100(TO3P)

15.6

±0.4

9.6

19.9

±0.3

4.0

2.0

5.0

±0.2

1.8

ø3.2

±0.1

2

3

1.05

+0.2

-0.1

20.0min

4.0max

B

E

5.45

±0.1

5.45

±0.1

C

4.8

±0.2

0.65

+0.2

-0.1

1.4

2.0

±0.1

a

b

Weight : Approx 6.0g
a. Part No.
b. Lot No.

2SA1386

–160

–160

2SA1386A

–180

–180

Ratings

Ratings

19

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3851/A)

Application : Audio and General Purpose

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

–6

–4

–1

25(Tc=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

2SA1488

–100

max

–60

–60

min

Unit

µ

A

V

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=

V

EB

=–6V

I

C

=–25mA

V

CE

=–4V, I

C

=–1A

I

C

=–2A, I

B

=–0.2A 

V

CE

=–12V, I

E

=0.2A

V

CB

=–10V, f=1MHz

2SA1488/1488A

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

V

CC

(V)

–12

R

L

(

Ω

) 

6

I

C

(A)

–2

V

BB2

(V) 

5

I

B2

(mA)

200

t

on

(

µ

s)

0.25typ

t

stg

(

µ

s)

0.75typ

t

f

(

µ

s)

0.25typ

I

B1

(mA) 

–200

V

BB1

(V) 

–10

2SA1488A

–100

max

–80

–80

min

–100

max

40

min

–0.5

max

15

typ

90

typ

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

P c – T a  Derating

Safe Operating Area (Single Pulse)

0

0

– 2

– 1

– 3

– 4

– 2

– 1

– 3

– 4

– 5

– 6

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

– 3 0 m A

– 4 0 m A

– 5 0 m A

– 6 0 m

A

– 2 0 m A

– 1 0 m A

I

B

= – 5 m A

–80mA

0

– 4

– 3

– 2

– 1

0

– 1 . 5

– 0 . 5

– 1 . 0

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 4 V )

125˚C (Case Temp)

25˚C (Case Temp)

–30˚C (Case Temp)

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

0 . 7

1

5

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0

T i m e   t ( m s )

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

3 0

2 0

1 0

2

0

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

Without Heatsink

1 0

5 0

1 0 0

3

5

– 1

– 0 . 5

– 0 . 0 5

– 0 . 1

– 1 0

– 5

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

Without Heatsink

Natural Cooling

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

0

– 1 . 5

– 1 . 0

– 0 . 5

– 0 . 1

–0.1

–0.5

–0.5

–1

B a s e   C u r r e n t   I

B

( A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

I

C

= – 3 A

– 2 A

– 1 A

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

– 0 . 0 1

– 0 . 1

– 1

– 4

2 0

5 0

1 0 0

5 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 4 V )

T y p

– 0 . 5

1ms

10ms

1 0 0 m s

DC

1 5 0 x 1 5 0 x 2

5 0 x 5 0 x 2

1 0 0 x

1 00

x2

( V

C E

= – 4 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 4

2 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

0.005 0.01

0.05

0 . 5

0 . 1

1

3

0

1 0

2 0

3 0

6 0

5 0

4 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

T y p

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

Natural Cooling

Silicone Grease

Heatsink: Aluminum

in mm

External Dimensions FM20 (TO220F)

ø3.3

±0.2

10.1

±0.2

4.0

±0.2

16.9

±0.3

13.0min

8.4

±0.2

0.8

±0.2

3.9

±0.2

2.54

2.54

1.35

±0.15

0.85

+0.2

-0.1

1.35

±0.15

2.2

±0.2

4.2

±0.2

2.8

c0.5

2.4

±0.2

0.45

+0.2

-0.1

B

E

C

a
b

Weight : Approx 2.0g
a. Part No.
b. Lot No.

2SA1488A

–80

–80

2SA1488

–60

–60

Ratings

Ratings

∗

h

FE

Rank   O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

20

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3856)

Application : Audio and General Purpose

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

Ratings

–180

–180

–6

–15

–4

130(Tc=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

Ratings

–100

max

–100

max

–180

min

50

min

∗

–2.0

max

20

typ

500

typ

Unit

µ

A

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=–180V

V

EB

=–6V

I

C

=–50mA

V

CE

=–4V, I

C

=–3A

I

C

=–5A, I

B

=–0.5A 

V

CE

=–12V, I

E

=0.5A

V

CB

=–10V, f=1MHz

V

CC

(V)

–40

R

L

(

Ω

) 

4

I

C

(A)

–10

V

BB2

(V) 

5

I

B2

(A)

1

t

on

(

µ

s)

0.6typ

t

stg

(

µ

s)

0.9typ

t

f

(

µ

s)

0.2typ

I

B1

(A) 

–1

2SA1492

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

P c – T a  Derating

0

0

– 5

– 1 0

– 1 5

– 1

– 2

– 3

– 4

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

–1A

– 5 0 m A

– 0 . 1 A

I

B

= – 2 0 m A

– 0

. 6 A

– 0 .

4 A

– 0 . 2

A

0

–   3

– 2

– 1

0

– 0 . 5

– 1 . 0

– 2 . 0

– 1 . 5

B a s e   C u r r e n t   I

B

( A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

I

C

= – 1 0 A

– 5 A

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 0

– 0 . 5

– 5

– 1 5

1 0

1 0 0

5 0

3 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 4 V )

T y p

– 3

– 1 0

– 1 0 0

– 2 0 0

– 0 . 1

– 1

– 0 . 5

– 1 0

– 4 0

– 5

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

DC

10ms

3ms

100ms

Without Heatsink

Natural Cooling

0 . 0 2

0 . 1

1

1 0

0

1 0

2 0

3 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

T y p

0 . 1

1

3

0 . 5

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0

2 0 0 0

T i m e   t ( m s )

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

1 3 0

1 0 0

5 0

3 . 5

0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

W i t h o u t   H e a t s i n k

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

0

– 1 5

– 1 0

– 5

0

– 2

– 1

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 4 V )

125˚C (Case Temp)25˚C (Case Temp)

–30˚C (Case Temp)

( V

C E

= – 4 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 0 . 5

– 1

– 5

– 1 0 – 1 5

2 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

V

BB1

(V) 

–10

External Dimensions MT-100(TO3P)

15.6

±0.4

9.6

19.9

±0.3

4.0

2.0

5.0

±0.2

1.8

ø3.2

±0.1

2

3

1.05

+0.2

-0.1

20.0min

4.0max

B

E

5.45

±0.1

5.45

±0.1

C

4.8

±0.2

0.65

+0.2

-0.1

1.4

2.0

±0.1

a

b

Weight : Approx 6.0g
a. Part No.
b. Lot No.

21

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3857)

Application : Audio and General Purpose

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

Ratings

–200

–200

–6

–15

–5

150(Tc=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

Ratings

–100

max

–100

max

–200

min

50

min

∗

– 3.0

max

20

typ

400

typ

Unit

µ

A

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=–200V

V

EB

=–6V

I

C

=–50mA

V

CE

=–4V, I

C

=–5A

I

C

=–10A, I

B

=–1A 

V

CE

=–12V, I

E

=0.5A

V

CB

=–10V, f=1MHz

2SA1493

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

P c – T a  Derating

0

0

– 5

– 1 0

– 1 5

– 1

– 2

– 3

– 4

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

–1.5A

I

B

= – 5 0 m A

– 1 0 0 m A

–600mA

–1A

– 4 0

0 m A

– 2 0 0 m

A

0

– 3

– 2

– 1

0

– 1

– 2

– 4

– 3

B a s e   C u r r e n t   I

B

( A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

I

C

= – 1 5 A

– 1 0 A

– 5 A

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 0

– 0 . 5

– 5

– 1 5

1 0

1 0 0

5 0

3 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

T y p

– 2

– 1 0

– 1 0 0

– 3 0 0

– 0 . 1

– 1

– 0 . 5

– 1 0

– 5 0

– 5

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

3ms

Without Heatsink

Natural Cooling

DC

100ms

20ms

1 0 m s

0 . 0 2

0 . 1

1

1 0

0

1 0

2 0

3 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

( V

C E

= – 4 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

T y p

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0

2 0 0 0

T i m e   t ( m s )

0 . 1

1

2

0 . 5

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

1 6 0

1 2 0

8 0

4 0

5
0

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

W i t h o u t   H e a t s i n k

0

– 1 5

– 1 0

– 5

0

– 2

– 1

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 4 V )

125˚C (CaseTemp)25˚C (CaseTemp)

–30˚C (CaseTemp)

( V

C E

= – 4 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 0 . 5

– 1

– 5

– 1 0 – 1 5

2 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

V

CC

(V)

–60

R

L

(

Ω

) 

12

I

C

(A)

–5

V

BB2

(V) 

5

I

B2

(mA)

500

t

on

(

µ

s)

0.3typ

t

stg

(

µ

s)

0.9typ

t

f

(

µ

s)

0.2typ

I

B1

(mA) 

–500

V

BB1

(V) 

–10

External Dimensions MT-200

2

3

1.05

+0.2

-0.1

B

E

5.45

±0.1

5.45

±0.1

2-ø3.2

±0.1

36.4

±0.3

9

24.4

±0.2

7

21.4

±0.3

20.0min

4.0max

0.65

+0.2

-0.1

3.0

+0.3

-0.1

6.0

±0.2

2.1

a

b

C

Weight : Approx 18.4g
a. Part No.
b. Lot No.

∗

h

FE

Rank   O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

∗

h

FE

Rank   Y(50 to 100), P(70 to 140), G(90 to 180)

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3858)

Application : Audio and General Purpose

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

Ratings

–200

–200

–6

–17

–5

200(Tc=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

Ratings

–100

max

–100

max

–200

min

50

min

∗

–2.5

max

20

typ

500

typ

Unit

µ

A

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=–200V

V

EB

=–6V

I

C

=–50mA

V

CE

=–4V, I

C

=–8A

I

C

=–10A, I

B

=–1A 

V

CE

=–12V, I

E

=1A

V

CB

=–10V, f=1MHz

V

CC

(V)

–40

R

L

(

Ω

) 

4

I

C

(A)

–10

V

BB2

(V) 

5

I

B2

(A)

1

t

on

(

µ

s)

0.6typ

t

stg

(

µ

s)

0.9typ

t

f

(

µ

s)

0.2typ

I

B1

(A) 

–1

2SA1494

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

P c – T a  Derating

0

0

– 5

– 1 0

– 1 5

– 1 7

– 1

– 2

– 3

– 4

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

–1.5A

– 5 0 m A

– 1 0 0 m A

– 1

A

– 6 0

0 m

A

– 4 0

0 m A

– 2 0 0 m

A

I

B

= – 2 0 m A

0

– 3

– 2

– 1

0

– 1

– 2

– 3

B a s e   C u r r e n t   I

B

( A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

I

C

= – 1 5 A

– 1 0 A

– 5 A

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 7

– 1 0

– 5

– 0 . 5

5 0

1 0

1 0 0

3 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 4 V )

T y p

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

– 2

– 1 0

– 1 0 0

– 3 0 0

– 0 . 1

– 1

– 0 . 5

– 1 0

– 5 0

– 5

3ms

Without Heatsink

Natural Cooling

DC

100ms

20ms

1 0 m s

0 . 0 2

0 . 1

1

1 0

0

3 0

1 0

2 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

T y p

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

2 0 0

1 6 0

1 2 0

8 0

4 0

5
0

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

Without Heatsink

( V

C E

= – 4 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 0 . 5

– 1

– 5

– 1 0 – 1 7

2 0

5 0

1 0 0

2 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

0

– 1 7

– 1 5

– 1 0

– 5

0

– 2

– 1

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 4 V )

125˚C (Case Temp)

25˚C (Case Temp)

–30˚C (Case Temp)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0

2 0 0 0

T i m e   t ( m s )

0 . 1

1

2

0 . 5

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

V

BB1

(V) 

–10

External Dimensions MT-200

2

3

1.05

+0.2

-0.1

B

E

5.45

±0.1

5.45

±0.1

2-ø3.2

±0.1

36.4

±0.3

9

24.4

±0.2

7

21.4

±0.3

20.0min

4.0max

0.65

+0.2

-0.1

3.0

+0.3

-0.1

6.0

±0.2

2.1

a

b

C

22

Weight : Approx 18.4g
a. Part No.
b. Lot No.

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

0

0

– 8

– 4

– 1 2

– 6

– 2

– 1 0

– 2

– 1

– 3

– 4

– 5

– 6

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

– 4 0 m A

– 6 0 m A

– 1 0 0 m A

– 1 5

0 m

A

– 2 0 m A

– 1 0 m A

– 5 m A

I

B

=–200mA

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

– 1 0

– 5 0

– 1 0 0

– 3

– 5

– 1

– 0 . 5

– 0 . 0 5

– 0 . 1

– 3 0

– 1 0

– 5

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

Without Heatsink

Natural Cooling

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

0

– 1 . 5

– 1 . 0

– 0 . 5

– 2

–100

–10

–1000

–3000

B a s e   C u r r e n t   I

B

( m A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

–1A

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 0

3 0

5 0

1 0 0

5 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 1 V )

T y p

1ms

10ms

100ms

DC

–3A

–6A

–9A

I

C

=–12A

0 . 3

0 . 5

4

1

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0

T i m e   t ( m s )

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

0 . 0 5

0 . 1

1

1 2

0

2 0

3 0

4 0

5 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

T y p

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

0

– 1 2

– 6

– 8

– 1 0

– 4

– 2

0

– 1 . 2

– 0 . 4

– 0 . 2

– 0 . 6

– 0 . 8

– 1 . 0

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 1 V )

125˚C (Case Temp) 25˚C (Case Temp)–30˚C (Case Temp)

( V

C E

= – 1 V )

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 0

3 0

5 0

1 0 0

5 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

P c – T a  Derating

3 5

3 0

2 0

1 0

2
0

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

Without Heatsink

5 0 x 5 0 x 2

1 0 0 x 1 0 0 x 2

1 5 0 x 1 5 0 x 2

Natural Cooling

Silicone Grease

Heatsink: Aluminum

in mm

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC4064)

Application : DC Motor Driver, Chopper Regulator and General Purpose

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

Ratings

–50

–50

–6

–12

–3

35(Tc=25°C)

150

–55 to +150

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

f

T

C

OB

Ratings

–100

max

–100

max

–50

min

50

min

–0.35

max

40

typ          

330

typ

Unit

µ

A

µ

A

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=–50V

V

EB

=–6V

I

C

=–25mA

V

CE

=–1V, I

C

=–6A

I

C

=–6A, I

B

=–0.3A 

V

CE

=–12V, I

E

=0.5A

V

CB

=–10V, f=1MHz

V

CC

(V)

–24

R

L

(

Ω

) 

4

I

C

(A)

–6

V

BB2

(V) 

5

I

B2

(mA)

120

t

on

(

µ

s)

0.4typ

t

stg

(

µ

s)

0.4typ

t

f

(

µ

s)

0.2typ

I

B1

(mA) 

–120

L

OW

V

CE 

(sat)   

2SA1567

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

V

BB1

(V) 

–10

External Dimensions FM20 (TO220F)

ø3.3

±0.2

10.1

±0.2

4.0

±0.2

16.9

±0.3

13.0min

8.4

±0.2

0.8

±0.2

3.9

±0.2

2.54

2.54

1.35

±0.15

0.85

+0.2

-0.1

1.35

±0.15

2.2

±0.2

4.2

±0.2

2.8

c0.5

2.4

±0.2

0.45

+0.2

-0.1

B

E

C

a
b

23

Weight : Approx 2.0g
a. Part No.
b. Lot No.

Ratings

–60

–60

–6

–12

–3

35(Tc=25°C)

150

–55 to +150

+

24

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC4065)

Application : DC Motor Driver, Chopper Regulator and General Purpose

Symbol

V

CBO

V

CEO

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

stg

Unit

V

V

V

A

A

W

°C

°C

■

Absolute maximum ratings 

■

Electrical Characteristics

■

Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Symbol

I

CBO

I

EBO

V

(BR)CEO

h

FE

V

CE

(sat)

V

FEC

f

T

C

OB

Ratings

–100

max

–60

max

–60

min

50

min

–0.35

max

–2.5

max

40

typ

330

typ

Unit

µ

A

mA

V

V

V

MHz

pF

Conditions

V

CB

=–60V

V

EB

=–6V

I

C

=–25mA

V

CE

=–1V, I

C

=–6A

I

C

=–6A, I

B

=–0.3A 

I

ECO

=–10A

V

CE

=–12V, I

E

=0.5A

V

CB

=–10V, f=1MHz

V

CC

(V)

–24

R

L

(

Ω

) 

4

I

C

(A)

–6

V

BB2

(V) 

5

I

B2

(mA)

120

t

on

(

µ

s)

0.4typ

t

stg

(

µ

s)

0.4typ

t

f

(

µ

s)

0.2typ

I

B1

(mA) 

–120

2SA1568

(Ta=25°C)

(Ta=25°C)

I

C

– V

C E  

Characteristics (Typical)

θ

j - a

– t

 

Characteristics

I

C

– V

B E  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

0

0

– 8

– 4

– 1 2

– 6

– 2

– 1 0

– 2

– 1

– 3

– 4

– 5

– 6

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

– 4 0 m A

– 6 0 m A

– 1 0 0 m A

– 1 5

0 m

A

– 2 0 m A

– 1 0 m A

I

B

=–200mA

h

F E

– I

C  

Temperature 

 

Characteristics (Typical)

– 1 0

– 5 0

– 1 0 0

– 3

– 5

– 1

– 0 . 5

– 0 . 0 5

– 0 . 1

– 3 0

– 1 0

– 5

C o l l e c t o r - E m i t t e r   V o l t a g e   V

C E

( V )

Collector Current I

C

(A)

Without Heatsink

Natural Cooling

V

C E

( s a t ) – I

B  

Characteristics (Typical)

0

– 1 . 4

– 1 . 0

– 0 . 5

– 7

–100

–10

–1000

–3000

B a s e   C u r r e n t   I

B

( m A )

Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

(V)

–1A

h

F E

– I

C  

Characteristics (Typical)

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 0

2

1 0

3 0 0

1 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

DC Current Gain h

FE

( V

C E

= – 1 V )

T y p

– 0 . 0 2

– 0 . 1

– 1

– 1 0

2

1 0

3 0 0

1 0 0

C o l l e c t o r   C u r r e n t   I

C

( A )

( V

C E

= – 1 V )

1ms

10ms

100ms

DC

–3A

–6A

–9A

I

C

=–12A

0 . 3

0 . 5

4

1

1

1 0

1 0 0

1 0 0 0

T i m e   t ( m s )

Transient Thermal Resistance 

θ

j-a

(˚C/W)

0 . 0 5

0 . 1

1

1 0

0

2 0

3 0

5 0

4 0

Cut-off Frequency f

T

(MH

Z

)

( V

C E

= – 1 2 V )

E m i t t e r   C u r r e n t   I

E

( A )

T y p

f

T

– I

E  

Characteristics (Typical)

P c – T a  Derating

3 5

3 0

2 0

1 0

2
0

0

2 5

5 0

7 5

1 0 0

1 2 5

1 5 0

A m b i e n t   T e m p e r a t u r e   T a ( ˚ C )

Maximum Power Dissipation P

C

(W)

With Infinite heatsink

Without Heatsink

5 0 x 5 0 x 2

1 0 0 x 1 0 0 x 2

1 5 0 x 1 5 0 x 2

0

– 1 2

– 6

– 8

– 1 0

– 4

– 2

0

– 1 . 2

– 0 . 4

– 0 . 2

– 0 . 6

– 0 . 8

– 1 . 0

B a s e - E m i t t o r   V o l t a g e   V

B E

( V )

Collector Current I

C

(A)

( V

C E

= – 1 V )

125˚C (Case Temp) 25˚C (Case Temp)

–30˚C (Case Temp)

DC Current Gain h

FE

1 2 5 ˚ C

2 5 ˚ C

– 3 0 ˚ C

Natural Cooling

Silicone Grease

Heatsink: Aluminum

in mm

V

BB1

(V) 

–10

External Dimensions FM20 (TO220F)

ø3.3

±0.2

10.1

±0.2

4.0

±0.2

16.9

±0.3

13.0min

8.4

±0.2

0.8

±0.2

3.9

±0.2

2.54

2.54

1.35

±0.15

0.85

+0.2

-0.1

1.35

±0.15

2.2

±0.2

4.2

±0.2

2.8

c0.5

2.4

±0.2

0.45

+0.2

-0.1

B

E

C

a
b

Built-in Diode at C – E
Low V

CE

(sat) 

B

C

E

( 2 5 0

Ω

)

Equivalent 
curcuit

Weight : Approx 2.0g
a. Part No.
b. Lot No.