Application 

 

 

 

 

www.diotec.com

 

1/1 

2004-06-22, US 

 

 

Non-planar 

chip technology 

 

 

 
 

 

 

 

 

 
n zone top, p zone bottom 

large active area (e. g. Melf ~ 1.69 mm

2

) 

 

⇒

 Advantages 

- High pulse capability    
- High power dissipation 
- high admissible zener current (Z-diodes) 
 
 
Assembly: plastic package 
 

 

 

Chip soldered to contacts,  

molded with duroplast (UL94V-0) 

= high reliability and good heat transfer 

 
 
Application 

high currents/power/voltages 

e. g. 
 
MiniMELF case 
ZMD1…100 (1 W Zener) 
GL1A…M (1 A, 50…1000 V) 
 
MELF case 
ZMY1…200 (1.3 W Zener) 
SMZ1..200 (2 W Zener) 
SZ3C1…200 (3 W Zener) 
SM513…2000 (1 A, 1.3…2 kV) 

 

Planar  

chip technology 

 

 

 
 

 

 

 

 

 

p and n zone within one planarity 

small active area (e. g. Melf ~ 0.36 mm

2

) 

 

⇒

 Advantages 

- Low junction capacity  
- Low leakage curent I

R

, sharp curve even 

   for Z-diodes with V

Z

 < 6.8 V  

 
 
Assembly: glass package 
 

 

 

Chip pressure contacted,  

within glass tube 

= simple assembly, but disadvantage  
   in heat transfer 

 
Application 

Small power/small signal diodes  

e. g. 
 
MiniMELF case 
ZMM1…100 (500 mW Zener) 
LL4148 (200 mA, 100 V) 
 
MELF case 
ZMY1G…100G (1 W Zener) 

 

Ty

p

e

Ty

p

Ty

p

e

Ty

p

 Active area 

n

 

p

 

Active area 

p

 

n