Application 

 

Applikation

 

 

 

www.diotec.com

 

1/4

 

 

03/2002 

 

 

 
Bipolar Transistors 

 

 
Nomenclature: 
 
B

 – Silicon Transistor 

C

 – LF Low Power Transistor 

nnn

 – Serial Number 

X

 or 

-nn

 – h

FE

 Group 

 
 
 

Available from Diotec: 

 

 
Bipolartransistoren 

 

 
Benennung: 
 
B

 – Siliziumtransistor 

C

 – NF Kleinleistungstransistor 

nnn

 – Serien-Nummer 

X

 oder 

-nn

 – h

FE 

Gruppe 

 
 
 

Von Diotec erhältlich: 

 

 
 

Case

Type

I

C

 [mA]

V

CEO

 [V]

Gehäuse

Typ

BC807  -16 / -25 / -40

-800

-45

SOT-23

PNP

BC817  -16 / -25 / -40

BC808  -16 / -25 / -40

-800

-25

SOT-23

PNP

BC818  -16 / -25 / -40

BC817  -16 / -25 / -40

800

45

SOT-23

NPN

BC807  -16 / -25 / -40

BC818  -16 / -25 / -40

800

25

SOT-23

NPN

BC808  -16 / -25 / -40

BC846  A / B

100

65

SOT-23

NPN

BC856  A / B

BC847  A / B / C

100

45

SOT-23

NPN

BC857  A / B / C

BC848  A / B / C

100

30

SOT-23

NPN

BC858  A / B / C

BC849  A / B / C

100

30

SOT-23

NPN

BC859  A / B / C

BC850  A / B / C

100

45

SOT-23

NPN

BC860  A / B / C

BC856  A / B

-100

-65

SOT-23

PNP

BC846  A / B

BC857  A / B / C

-100

-45

SOT-23

PNP

BC847  A / B / C

BC858  A / B / C

-100

-30

SOT-23

PNP

BC848  A / B / C

BC859  A / B / C

-100

-30

SOT-23

PNP

BC849  A / B / C

BC860  A / B / C

-100

-45

SOT-23

PNP

BC850  A / B / C

BC327  -16 / -25 / -40

-800

-45

TO-92

PNP

BC337  -16 / -25 / -40

BC328  -16 / -25 / -40

-800

-25

TO-92

PNP

BC338  -16 / -25 / -40

BC337  -16 / -25 / -40

800

45

TO-92

NPN

BC327  -16 / -25 / -40

BC338  -16 / -25 / -40

800

25

TO-92

NPN

BC328  -16 / -25 / -40

BC546  A / B

100

65

TO-92

NPN

BC556  A / B

BC547  A / B / C

100

45

TO-92

NPN

BC557  A / B / C

BC548  A / B / C

100

30

TO-92

NPN

BC558  A / B / C

BC549  B / C

100

30

TO-92

NPN

BC559  B / C

BC556  A / B

-100

65

TO-92

PNP

BC546  A / B

BC557  A / B / C

-100

45

TO-92

PNP

BC547  A / B / C

BC558  A / B / C

-100

30

TO-92

PNP

BC548  A / B / C

BC559  B / C

-100

30

TO-92

PNP

BC549  B / C

Designation

complementary

Bezeichnung

komplementär

Parameter

Application 

 

Applikation

 

 

 

www.diotec.com

 

2/4

 

 

03/2002 

 

 

Basic Circuits 

a) Common Emitter 
b) Common Base 
c) Common Collector 
 

 

Grundschaltungen 

a) Emitterschaltung 
b) Basisschaltung 
c) Kollektorschaltung 
 

 

Characteristics 

 
 a) 

b) 

c) 

input 
impedance 

medium small high 

output 
impedance 

medium high  small 

current  
gain h

21

 

high < 

1 

high 

h

21

 

frequency  
limit 

low high 

low 

 
 

Eigenschaften 

 
 a) 

b) 

c) 

Eingangs- 
impedanz 

mittel klein groß 

Ausgangs- 
impedanz 

mittel groß klein 

Stromver- 
stärkung h

21

groß < 

1 groß 

h

21

  

Grenz- 
frequenz 

niedrig hoch niedrig 

 
 

LF Four Pole Equivalent Circuit 
 

Low frequency transistors can be described by 
an active four pole network. Following 
equations are valid for small signal (AC) 
parameters: 

NF Vierpol-Ersatzschaltbild 
 

Niederfrequenz-Tranistoren können durch ein 
aktives Vierpol-Netzwerk beschrieben werden. 
Die folgenden Gleichungen gelten für 
Wechselstrom- (=Kleinsignal-) Größen: 

 

2

22

1

21

2

2

12

1

11

1

u

h

i

h

i

u

h

i

h

u

×

+

×

=

×

+

×

=

 

Parameter: Parameter: 
 
Input impedance, output 

 

Eingangsimpedanz, Ausgang 

shorted (u

2

=0)  

kurzgeschlossen 

(u

2

=0) 

 

Reverse voltage transfer ratio 

  

Spannungsrückwirkung bei 

open input (i

1

=0) 

 

offenem Eingang (i

1

=0) 

 

Small signal current gain,  

 

Kleinsignalstromverstärkung,  

output shorted (u

2

=0) 

 

Ausgang kurzgeschl. (u

2

=0) 

 

Output admittance, 

 

Ausgangsleitwert bei   

open input (i

1

=0) 

 

offenem Eingang (i

1

=0) 

u

1

u

2

i

1

i

2

a)

u

1

u

2

i

1

i

2

c)

u

1

u

2

i

1

i

2

b)

1

1

11

i

u

h

=

2

1

12

u

u

h

=

1

2

21

i

i

h

=

2

2

22

u

i

h

=

Application 

 

Applikation

 

 

 

www.diotec.com

 

3/4

 

 

03/2002 

 

 
Equivalent Circuit:  

 

Ersatzschaltbild: 

 
 
 

Calculation of a real transistor stage

   

Berechnung der realen Transistorstufe

  

 
 
 
Input impedance 

 

 

Eingangsimpedanz 

 
 
 
Output impedance 

 

 

Ausgangsimpedanz 

 
 
 
Current gain  

 

 

Stromverstärkung 

 
 
 
Voltage gain 

 

 

Spannungsverstärkung 

 
 
 
Power gain 

 

 

Leistungsverstärkung 

 
 
 
Definition 

∆

h  

 

Definition 

∆

h 

 
 
 
 
Optimum power gain, 

 

 

Optimale Leistungs- 

input and output matched 

 

 

verstärkung, Eingang 

with R

Gopt

 and R

Lopt

 

 

 

und Ausgang angepasst 

  

 

 

 

mit 

R

Gopt

 and R

Lopt

 

 
 
 
 

u

1

i

1

i

2

u

2

h

11

h

22

h u

12  2

@

h i

21  1

@

R

G

R

L

L

22

L

11

1

1

i

R

h

1

h

R

h

i

u

r

×

+

D

×

+

=

=

G

22

G

11

2

2

o

R

h

h

R

h

i

u

r

×

+

D

+

=

=

L

22

21

1

2

c

R

h

1

h

i

i

g

×

+

=

=

h

R

h

R

h

u

u

g

L

11

L

21

1

2

v

D

×

+

×

-

=

=

)

h

R

h

(

)

R

h

1

(

R

h

p

p

g

L

11

L

22

L

2

21

1

2

p

D

×

+

×

×

+

×

=

=

21

12

22

11

h

h

h

h

h

×

-

×

=

D

2

22

11

21

opt

_

p

h

h

h

h

g

÷

÷
ø

ö

ç

ç
è

æ

×

+

D

=

22

11

Gopt

h

h

h

R

D

×

=

h

h

h

R

22

11

Lopt

D

×

=

Application 

 

Applikation

 

 

 

www.diotec.com

 

4/4

 

 

03/2002 

 

Datasheet Parameters 

 
In the datasheet the parameters are specified 
for the common emitter configuration at a given 
operating point (bias). The conversion for other 
configurations is shown below.  
 

Datenblattparameter 

 
Im Datenblatt werden die Parameter für die 
Emitterschaltung in einem bestimmten 
Arbeitspunkt angegeben. Die Umrechnung für 
andere Schaltungen ist unten angegeben. 
 

 
 

Common Emitter 

Emitter-

Base 

Basis-

Collector 

Kollektor- 

 
Schaltung 

Input  

impedance 

h

11

 

h

ie

 

fe

ie

ib

h

1

h

h

+

=

 

ie

ic

h

h

=

 

Eingangs-

impedanz 

Reverse voltage 

transfer ratio 

h

12

 

h

re

 

re

fe

oe

ie

rb

h

h

1

h

h

h

-

+

×

=

re

rc

h

1

h

-

=

 

Spannungs- 

rückwirkung 

Small signal 

current gain 

h

21

 

h

fe

 

fe

fe

fb

h

1

h

h

+

-

=

 

fe

fc

h

1

h

+

=

-

 

Kleinsignal- 

stromverstärkung

Output 

admittance 

h

22

 

h

oe

 

fe

oe

ob

h

1

h

h

+

=

 

oe

oc

h

h

=

 

Ausgangs- 

leitwert 

 
DC current gain in common 

h

FE 

Kollektor-Basis-Gleichstromverhältnis 

emitter configuration 

 

in Emitterschaltung (Großsignalwert) 

 
Meaning of Subscripts: 

 

Bedeutung der Indizes: 

voltage between X and Y

 

V

XYZ 

Spannung zwischen X und Y 

current from X to Y 

I

XYZ

 

Strom von X nach Y 

 

 

X, Y = B, C, E 

 

at third connector -open 

Z = O 

bei drittem Anschluss -offen 

-short  

Z 

= 

S 

-kurzgeschlossen 

at specified saturation conditions 

Z = sat 

bei gegebenen Bedingungen im 

  

 

 

Übersteuerungsbereich 

 
Gain bandwith product 

f

T

 Transitfrequenz 

Product of h

fe

 and frequency where 

 

Produkt aus h

fe

 und der Frequenz,  

h

fe

 has been measured  

 

bei der h

fe

 bestimmt wurde 

 
Collector-Base capacitance 

C

CBO

 Kollektor-Basis 

Kapazität 

(between C and B, E open) 

 

(zwischen C und B, E offen) 

 
Noise figure 

 

Rauschzahl 

Given for a specified operating 

 

Angegeben für einen bestimmten 

point, specified source resistance, 

 

Arbeitspunkt, einen bestimmten 

specified frequency and frequency 

 

Generatorwiderstand, eine be- 

range, where: 

 

stimmte Frequenz sowie einen  

  

 

 

Frequenzbereich. 

Mit: 

 
Total noise power at the output termination 

p

2

 

Rauschleistung am Lastwiderstand 

 
Noise power at the signal source 

p

1

 

Eingangsrauschleistung des  

  

 

Signalgenerators 

 
Equivalent Noise voltage 

u

F

 Äquivalente 

Rauschspannung 

1

p

2

p

g

p

lg

10

dB

F

×

×

=