SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED

SUPER FAST SILICON RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 50 to 200 Volts  CURRENT 1.0 Ampere 

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 

o

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.

UFM104L

THRU

UFM101L

SMAL

MAXIMUM RATINGS 

(@ T

A

=25 

O

C unless otherwise noted) 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS 

(@T

A

=25 

O

C unless otherwise noted)

Dimensions in inches and (millimeters)

RATINGS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T

A

 = 55

O

C

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)
Typical Thermal Resistance (Note 1)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

SYMBOL

V

RRM

V

DC

I

FSM

C

J

 T

STG

V

RMS

UNITS

Volts

Volts

Volts

Amps

1.0

30

85

18

Amps

0

C/W

0

C/W

0

C

Storage Temperature Range

R

q

J A

Typical Thermal Resistance (Note 1)

35

R

q

J L

I

O

pF

Operating Temperature Range

T

J

UFM101L

50

150

-55 to + 150

0

C

UFM102L

UFM103L

100

150

35

70

105

50

100

150

UFM104L

UFM101L

UFM102L

UFM103L

UFM104L

200

200

140

2006-12

CHARACTERISTICS

Maximum Average Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage

V

F

SYMBOL

I

R

m

A

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC

Volts

5

350

@T

A 

= 25

o

C

@T

A 

= 100

o

C

m

A

UNITS

0.92

trr

Maximum Reverse Recovery Time (Note 4)

nSec

20

FEATURES

* Glass passivated device
* For surface mounted applications
* Ultrafast recovery times dor high efficiency
* Low forward voltage, low power loss
* Low leakage current

* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
* Metallurgically bonded construction
* Mounting position: Any
* Weight: 0.057 gram

MECHANICAL DATA

NOTES : 1. Thermal Resistance :Mounted on PCB.

2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
3. "Fully ROHS compliant","100% Sn plating (Pb-free)". 
4. Test Conditions: I

F

= 0.5A, I

R

= -1.0A, I

RR

= -0.25A.

0.067 ( 1.70 )
0.063 ( 1.60 )

0.012 ( 0.305 )
0.006 ( 0.152 )

0.008 ( 0.203 )
0.004 ( 0.102 )

0.059 ( 1.50 )
0.035 ( 0.89 )

0.209 ( 5.31 )
0.185 ( 4.70 )

0.180 ( 4.57 )
0.160 ( 4.06 )

0.110 ( 2.79 )
0.086 ( 2.18 )

0.067 (1.70 )
0.051 (1.29 )

AMBIENT TEMPERATURE, (

O

C)

IN

ST

AN

TA

NE

O

US

 R

EV

ER

SE

 C

UR

RE

NT

, (

uA

)

25

1.0

0

0

0.8

0.6

0.4

0.2

75

50

175

100

125

150

RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( UFM101L THRU UFM104L ) 

FIG.2 TYPICAL FORWARD CURRENT

          DERATING CURVE

FIG.1 TEST CIRCUIT DIAGRAM AND REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)

AV

ER

AG

E 

FO

RW

AR

D 

CU

RR

EN

T,

 (A

)

0

0.1

10

1.0

1000

100

60

20

40

80

100

120

140

FIG.3 TYPICAL REVERSE 

   CHARACTERISTICS 

trr

+0.5A

50 

W

NONINDUCTIVE

10

 W

NONINDUCTIVE

0

-0.25A

-1.0A

1cm

SET TIME BASE FOR 8/1 ns/cm

NOTES:  1  Rise Time = 7ns max. Input Impedance =

    1 megohm. 22pF.
2. Rise Time = 10ns max. Source Impedance = 

    50 ohms.

D.U.T

25 Vdc

(approx)

( - )

( - )

( + )

( + )

1

NON-

INDUCTIVE

OSCILLOSCOPE

(NOTE 1)

PULSE

GENERATOR

(NOTE 2)

Single Phase

Half Wave 60Hz

Resistive or

Inductive Load

T

A

 = 25 

O

C

T

A

 = 75 

O

C

T

A

 = 100 

O

C

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

PE

AK

 F

O

RW

AR

D 

SU

RG

E 

CU

RR

EN

T,

 (A

)

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (V)

1

10

30

20

50

100

200

IN

ST

AN

TA

NE

O

US

 F

O

RW

AR

D 

CU

RR

EN

T,

 (A

)

1.0

0.3

0.1

0.03

0.01

3.0

10

20

10

5

50

100

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

3.0

3.5

RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( UFM101L THRU UFM104L ) 

FIG.4 TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD

               CHARACTERISTICS

FIG.5 MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD

                SURGE CURRENT

REVERSE VOLTAGE, (V)

JU

NC

TI

O

N 

CA

PA

CI

TA

NC

E,

 (p

F)

4

6

40

20

10

60

200

100

0.2

0.1

2

1

0.4

2

1.0

4

10

20

40

100

FIG.6 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

8.3ms Single Half Sine-Wave

(JEDED Method)

Pulse Width=300uS

1% Duty Cycle

T

J

 = 25 

O

C

T

J

 = 25 

O

C

Mounting Pad Layout

Dimensions in inches and (millimeters)

0.083MIN.

( 2.10 MIN.)

0.220

0.106 MAX.

(2.69 MAX.)

0.050 MAX.

(1.27 MAX.)

(5.58) REF

 

                 Rectron Inc reserves the right to make changes without notice to any product 

              specification herein, to make corrections, modifications, enhancements or other 

              changes. Rectron Inc or anyone on its behalf assumes no responsibility or liabi-

              lity for any errors or inaccuracies.  Data sheet specifications and its information 

              contained are intended to provide a product description only. "Typical" paramet-

              ers which may be included on RECTRON data sheets and/ or specifications ca-

              n and do vary in different applications and actual performance may vary over ti-

              me.  Rectron Inc does not assume any liability arising out of the application or 

              use of any product or circuit.  

                 Rectron products are not designed, intended or authorized for use in medical,

              life-saving implant or other applications intended for life-sustaining or other rela-

              ted applications where a failure or malfunction of component or circuitry may di-

              rectly or indirectly cause injury or threaten a life without expressed written appr-

              oval of Rectron Inc.  Customers using or selling Rectron components for use in 

              such applications do so at their own risk and shall agree to fully indemnify Rect-

              ron Inc and its subsidiaries harmless against all claims, damages and expendit-

              ures.  

DISCLAIMER NOTICE